據介紹，砷化鎵是一種感光性能比當前廣泛使用的硅更優良的材料，理論上它可將接收到的陽光的40％轉化為電能，轉化率約是硅的兩倍，因此衛星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽能電池板的材料。然而，傳統的砷化鎵晶片制造技術每次只能生成一層晶片，成本居高不下，限制了砷化鎵的廣泛應用。

　　美國伊利諾伊大學等機構研究人員報告說，他們開發出的新技術可以生成由砷化鎵和砷化鋁交疊的多層晶體，然后利用化學物質使砷化鎵層分離出來，可同時生成多層砷化鎵晶片，大大降低了成本。這些砷化鎵晶片可以像“蓋章”那樣安裝到玻璃或塑料(10350,185.00,1.82%)等材料表面，然后可使用已有技術進行蝕刻，根據需要制造半導體電路或太陽能電池板。

　　不過，該技術目前還只能用于批量生產較小的砷化鎵晶片，如邊長500微米的太陽能電池單元，這與現在廣泛使用的硅晶片相比還是太小。下一步研究將致力于利用新技術批量生產更大的砷化鎵晶片。